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第85章 沉浸式光刻机技术成功[2/2页]

重返1993之突围 曹焱

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事。
      说起这个沉浸式光刻机,也是曹鹏云能想到的最容易卡死光刻机技术的一项技术。
      因为它相对简单,只是用纯水或者纯油之类的就行。
      可也就是这个技术,也是asml崛起与尼康衰落的分界点。
      在1999年的时候。
      光刻机的光源波长被卡死在193nm,成为了摆在全产业面前的一道难关。
      大半个半导体业界都参与进来,大家都想着各种法子突破。
      尼康等公司主张用前代技术的基础上,采用157nm的f2激光,走稳健道路。
      新生的euvllc联盟则押注更激进的极紫外技术,用仅有十几纳米的极紫外光,刻十纳米以下的芯片制程。
      但技术都已经走到这地步,不管哪一种方法,做起来其实都不容易。
      这时候湾积电出现了一个叫做木本坚的工程师。
      他想到水会影响光的折射率,提出在透镜和硅片之间加一层水,让原有的193nm激光经过折射,直接越过157nm的天堑,降低到132nm。
      不过很可惜,当年的木本坚拿着这项“沉浸式光刻”方案,跑遍米国、得国、小日子等国,游说各家半导体巨头,但都吃了闭门羹。
      甚至有一些半导体公司高层还给湾积电ceo捎了句狠话,让他管好木本坚不要让他跳出来搅局。
      毕竟木本坚说的这个方案只是理想情况,在精密的机器中加水构建浸润环境,既要考虑实际性能,又要操心污染。
      如果为了这一条短期替代方案,耽误了光源研究,吃力不讨好只是其次,被对手反超可就不好看了。
      于是,尼康继续选择了在干式微影157nm这一条道上走到黑。
      可他却没发现自己背后有位虎视眈眈的搅局者。
      当时只是一个非常小的小角色asml决定赌一把。
      也许当时他们想着反正,自己公司也就那样了,和那几家大公司再差也差不到哪去。
      而且相比在传统干式微影上的投入和那些大公司拼刺刀,还不如押注浸润式技术这种可能以小博大的技术。
      于是asml和木本坚一拍即合,仅用一年时间。
      在2004年就拼全力赶出了第一台样机,并先后夺下ibm和湾积电等大客户的订单。
      而尼康晚了半步,很快亮出了干式微影157nm技术的成品。
      可惜被asml抢了头阵,更何况波长还略落后于对手,asml是132nm,而他是157nm。
      等到一年后尼康完成了对浸润式技术的追赶,客户却已经被asml全带跑了。
      从此,尼康开始没落。
      想到这里,曹鹏云感觉自己语气都有些颤抖:“能做到多少nm?”
      这边的徐端仪同样激动:“理论上是可以达到曹厂长你说的132nm,可你也知道,我们在精密机械方面并不是非常过关,所以大概在250nm左右。”

第85章 沉浸式光刻机技术成功[2/2页]